めっき技術 TECHNOLOGY

低抵抗 高熱伝導 高導電 銅めっき(Cu) 低熱伝導 ニッケルめっき(Ni) 金めっき(Au) 開発技術 TSV・TGV/ウエハ内ビアへの埋め込み技術 Filling plating in through-silicon via (TSV) and through-glass via (TGV)

周波数特性の向上、⾼密度⼩型化、省電⼒化
5G通信での⽤途にも検討されています。
当社では、有底Via(ブラインドVia)および貫通Viaともにめっきでの⾦属埋め込みが出来ます。

対応基材

サイズ︓4inch〜8inchウエハ
素材︓Si,SiC,ガラス,etc

対応可能な仕様と機能・特性

試作実績有り
電解銅 ⾼周波特性、⾼密度化、⼩型化、消費電⼒の低減
電解ニッケル ⾼密度化、⼩型化
電解金 ⾼密度化、⼩型化

上記以外の仕様についてもお気軽にご相談ください

技術の特徴

TSV・TGVについて

TSV・TGVとは..
Si貫通電極(Through-Silicon Via)
ガラス貫通電極(Through-Glass Via)
の略称です。
半導体の実装技術の1つで、3D実装パッケージを形成する際に、上下のチップを繋ぎ集積化による⾼性能化が可能です。
そのVia内部へのめっきを承ります。
シリコンウェハ、ガラスウェハ以外にもセラミック基板、樹脂基板の貫通Viaにもめっきが出来ます。


貫通Via(スルホール)埋め込み技術

■当社独⾃の⼯法
  ✔ボイドレスでの埋め込みが可能
  ✔CMP研磨⼯程の時間を削減することができます
■放熱性向上
  ビア内部をきれいに⾦属充填することで、放熱性の向上にもつながります。
■各種ビア形状に対応
  ストレート形状、くびれ形状、テーパー形状など、各種ビア形状に埋め込みを⾏います。
■⾦属種について
  ⾦属種はご相談下さい。


コンフォーマルめっきも対応
 

ブラインドビアのコンフォーマルめっきの断面SEM
アスペクト比:8(ビア径5μm、深さ40μm)

ビアフィリングまで必要なく、導通確保だけでしたら、コンフォーマルめっきもご検討ください。
■コンフォーマルめっきのメリット
 ✔スパッタで対応できない、ビア内部にも均⼀にめっきが可能
 ✔めっき時間削減


各種評価⽅法が充実

弊社分析技術により、信頼性向上や評価期間・サンプル量削減に貢献致します。
■X線CT装置
 ⾮破壊でVia内部の充填状況を確認できます。
■断⾯SEM
 細かなボイド、膜厚の薄いコンフォーマルめっきでも状態の確認が出来ます。
その他評価も承っておりますので、ご相談ください。
 

 

用途や導入例

  • インターポーザ(半導体ICチップ積層⽤の基板)に用いられます
  • 3次元実装基板に用いられます

Q&A

  • ⾓形基板も対応可能でしょうか︖

    対応可能な場合もございます。⼀度お問い合わせください。

  • 貫通Viaへの埋め込みめっきにて実績のあるサイズを教えてください。

    実績としては、ビア径として約Φ30~50μm、ウエハ厚みとして約200~300μmとなります。Via形状により出来栄えが異なりますので、実サンプルでの条件検討をさせていただきます。

  • 貫通Viaだけでなく、有底Viaへも埋め込みめっきは可能でしょうか?

    有底Viaの場合、コンフォーマルめっきと比べ、埋め込みめっきは非常に難易度が高くなります。基材のVia寸法によっては、条件検討により可能となる場合もございますので、下記問合せフォームよりご相談下さい。

お問い合わせ・試作依頼