めっき技術 TECHNOLOGY

低抵抗 高熱伝導 高導電 低熱伝導 銅めっき(Cu) ニッケルめっき(Ni) 金めっき(Au) 開発技術 ウエハ内ビア埋め込みめっき技術(TSV・TGV) Filling plating in through-silicon via (TSV) and through-glass via (TGV)

ウエハ内ビア埋め込みめっき技術は、周波数特性の向上、高密度小型化、省電力化の目的で使用され、5G通信での用途にも検討されています。
当社では、有底ビア(ブラインドビア)および貫通ビアともにめっきでの金属埋め込みが可能です。

対応基材

サイズ︓4inch〜8inchウエハ
素材︓Si,SiC,ガラス,etc

対応可能な仕様と機能・特性

試作実績有り
電解銅 高周波特性、高密度化、小型化、消費電力の低減
電解ニッケル 高密度化、小型化

上記以外の仕様についてもお気軽にご相談ください

技術の特徴

TSV・TGVへのボイドレス埋め込みめっき技術

埋め込みめっき断面図


TSV(Si貫通電極)とTGV(ガラス貫通電極)は、3D実装パッケージを形成する際に上下のチップを繋ぎ、集積化による⾼性能化が可能です。当社ではそのビア内部へのめっきを承ります。当社独自のめっき工法で、ボイドレスでの埋め込みめっきが可能です。シリコンウエハ、ガラスウエハ以外にもセラミック基板、樹脂基板の貫通ビアにもめっきが可能です。


CMP研磨負担の軽減ができます

従来のめっき工法は、ビア埋め込みめっきにより表裏面に着膜しためっきを、CMP研磨にて除去する必要がありました。
しかし、当社独自のめっき工法を用いると、表裏面へのめっき着膜量を抑制することができ、CMP研磨工程の時間を大幅に削減することが可能です。

従来)ウエハ表裏面のCMP研磨が必要

現在)ウエハ表面のみのCMP研磨で完成!

従来の工法での埋め込み断面
新規独自工法での埋め込み断面

各種ビア形状にも対応可能

貫通ビア形成方法の違いにより、様々なビア形状となります。ビア形状によりめっき埋め込み出来栄えに違いが生じることがあります。当社では、ストレート形状、くびれ形状、テーパー形状、壁面凹凸形状など、各種ビア形状にも対応しております。金属種についてはご相談ください。

対応可能なビア形状の断面模式図

非破壊で埋め込み状態が確認可能

当社の非破壊式の分析技術により、信頼性向上や評価期間・サンプル量削減に貢献致します。
X線CT装置により非破壊でビア内部の充填状況を確認できます。サンプルサイズはチップサイズから最大300mm角まで対応可能です。その他レーザー顕微鏡や断面などの評価も可能です。


コンフォーマルめっき技術

ブラインドビアのコンフォーマルめっきの断面SEMアスペクト比:8(ビア径5μm、深さ40μm

埋め込みまではいらない、導通確保ができればいい、という場合は、是非コンフォーマルめっきをご検討ください。
コンフォーマルめっきでは、スパッタで対応できない、ビア側壁や底面にも均一にめっきが可能です。
ビア埋め込みめっきに比べ、めっき時間の削減にも繋がります。


ダウンロード資料内容

・対応可能なめっき種とビア仕様
・ビア埋め込みめっき実施事例

無料資料のダウンロードはこちらから

Q&A

  • 角形の基板も対応可能でしょうか︖

    対応可能な場合もございます。⼀度お問い合わせください。

  • 貫通Viaへの埋め込みめっきにて実績のあるサイズを教えてください。

    実績としては、ビア径として約Φ30~50μm、ウエハ厚みとして約200~300μmとなります。Via形状により出来栄えが異なりますので、実サンプルでの条件検討をさせていただきます。

  • 貫通Viaだけでなく、有底Viaへも埋め込みめっきは可能でしょうか?

    有底Viaの場合、コンフォーマルめっきと比べ、埋め込みめっきは非常に難易度が高くなります。基材のVia寸法によっては、条件検討により可能となる場合もございますので、下記問合せフォームよりご相談下さい。

用途や導入例

  • インターポーザ(半導体ICチップ積層⽤の基板)
  • 3次元実装基板

お問い合わせ・試作依頼