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メッキ技術「装置紹介」を更新いたしました。

半導体向けのめっきにおいて、弊社では以下の装置を使用しております。

【スパッタ装置】
 特徴
  •膜厚面内分布:±5%以内
   (φ200o範囲内5点、Siウエハ上、300nm成膜時)
  •基板温度分布:±15℃以内
   (φ200o範囲内 5点のばらつきで評価、100,200,300℃)
  •少量からの処理対応が可能
   (1枚からでも対応可能)

【ロールラミネーター】
 使用実績
  ・基板
   (種類)Siウエハ、ガラスウエハ、樹脂基板
   (サイズ)ウエハ形状 3インチ〜8インチ
        その他形状 100mm×100mm  
   (厚み)200μm〜1mm
  
  ・レジスト
   (厚み)最小 19μm
       最大 110µm(重ね貼り時 500µm)


【レーザー顕微鏡】
 原理
  ・短波長レーザー光源と白色光源により、反射光量・色調情報を取得する。
  ・Z軸方向にスキャンを繰り返し、得られたデータを元に3次元画像を構築する。

 特徴
  ・SEM並みの鮮明な画像をカラーで観察でき、非接触で高精度な
   3次元測定が可能。

 用途
  ・バンプ高さ、バンプ径、配線幅、段差測定などに利用。


リンク
メッキ技術紹介

テーマ:心ときめく技術力    【 2019年07月30日 】