めっき技術 TECHNOLOGY

接合性 低抵抗 高導電 配線形成 銅めっき(Cu) 金めっき(Au) スズめっき(Sn/半田) 開発技術 配線/バンプ形成(電解UBM)/ウエハ Line / Bump plating or under-barrier electroplating on the semiconductor wafer

”めっき”によるマイクロバンプと微細配線は配線⻑の短縮による伝送性の向上など、電⼦機器の⾼性能化・⼩型化には不可⽋な技術です。
少量の試作・検証案件も対応可能です。

対応基材

■対応基材
 サイズ︓6inch〜12inchウエハ
 素材︓Si,SiC,ガラス,etc

対応可能な仕様と機能・特性

試作実績有り
電解銅 低抵抗、良放熱性
電解金 低抵抗、耐酸化性
電解スズ-銀 鉛フリーでの接合
電解金-スズ 高温接合

上記以外の仕様についてもお気軽にご相談ください

技術の特徴

スパッタ➡フォトリソ➡めっき➡シードエッチングまで⼀貫対応可能です

弊社では、めっき⼯程はもちろん、その前後のパターニングやエッチング⼯程まで⼀貫して処理を承っております。

■スパッタ
 Cu,Ti,Al,Niの薄膜作成が可能です。膜厚・層構成の相談は承っております。
■フォトリソ
 4インチから8インチのウエハに対応しております。
 マスク作成から対応可能です。 
 露光装置はアライナータイプとなります。
■めっき
 次項をご覧ください。
■シードエッチング
 Ti,Cuシード層に対し、サイドエッチングを抑えた選択的なエッチングが可能です。
 


微⼩パターンを電解めっきにて作製

マイクロバンプ形状からライン形状など、数⼗μmの微⼩パターンへのめっきにも対応致します。
■最⼩バンプサイズ
 20μm(アスペクト⽐1:1)
■最⼩ライン
 L/S=10μm/10μm
■対応めっき種
 銅めっき、ニッケルめっき、金めっき、スズ銀合金めっきはライン設備で対応。
 その他めっき種は簡易槽レベルでの対応も可能です。

ニッケル上のスズ銀バンプ(Φ20μm×H 30μm)
銅めっきで作成した配線

 


少量試作・種々基板形状の対応もご相談下さい

少量の試作レベルの加⼯も対応致します。
■最少1枚から1枚から試作を承ります。
■各種素材基板に対応
 ⼀般的なSiウエハに限らず、ガラス、セラミックス、樹脂フィルムなどへのめっき加⼯も対応可能です。
■各種基板形状に対応
 ⼀般的なウエハ形状以外の四⾓基板や、100μm程度の薄基板、チップ、⼩⽚でも対応致します。
■専⽤設備の設計
 必要に応じて、各試作に対応した専⽤設備の独⾃作製も⾏います。様々な案件に柔軟に対応致します。

フィルム基板への銅パターンめっき