めっき技術 TECHNOLOGY

接合性 低抵抗 高導電 配線形成 銅めっき(Cu) 金めっき(Au) スズめっき(Sn/半田) 開発技術 配線/バンプ形成(電解UBM)/ウエハ Line / Bump plating or under-barrier electroplating on the semiconductor wafer

”めっき”によるマイクロバンプと微細配線は配線⻑の短縮による伝送性の向上など、電⼦機器の⾼性能化・⼩型化には不可⽋な技術です。
少量の試作・検証案件も対応可能です。

対応基材

■対応基材
 サイズ︓6inch〜12inchウエハ
 素材︓Si,SiC,ガラス,etc

対応可能な仕様と機能・特性

試作実績有り
電解銅 低抵抗、良放熱性
電解ニッケル バリアメタル(拡散防止)
電解金 低抵抗、耐酸化性
電解スズ-銀 鉛フリーでの接合
電解金-スズ 高温接合

上記以外の仕様についてもお気軽にご相談ください

技術の特徴

スパッタからシードエッチングまで⼀貫対応可能

弊社では、めっき⼯程はもちろん、その前後工程であるレジストパターニングやエッチング⼯程まで⼀貫して処理を承っております。

スパッタ:Cu,Ti,Al,Niの薄膜作成が可能です。膜厚・層構成の相談は承っております。
フォトリソ:4インチから8インチのウエハに対応しております。
      300mm角までのシートフィルム形状も対応可能な場合がございます。
      露光マスク作成から弊社にて対応可能です。露光装置はアライナータイプです。 
めっき:次項をご覧ください。
シードエッチング:スパッタ形成したTiやCuのシード層をエッチングします。サイドエッチングを抑えた選択的なエッチングが可能です。
 


微⼩・微細パターンを作製可能

マイクロバンプや配線、電極など、数⼗μmの微⼩・微細なパターンを電解めっきで形成できます。
バンプサイズ実績:最小ーΦ20μmにてH30μm
         最大ーΦ60μmにてH100μm
最⼩ライン:L/S=10μm/10μm
ライン設備で対応可能なめっき種:銅めっき、ニッケルめっき、金めっき、スズ銀合金めっき
※その他、簡易槽レベルで対応可能なめっき種もありますのでご相談ください。

ニッケル上のスズ銀バンプ(Φ20μm×H 30μm)
銅めっきで作成した配線

 


試作は1枚から、ウエハ以外の形状もご相談下さい

最少1枚からの試作ご依頼も承っております。
ウエハ形状製品は最もスタンダードですので、最も対応の幅が広くなります。四⾓基板や、100μmレベルの薄基板、チップ、⼩⽚でも対応できる場合がございますので、お問い合わせください。

対応可能な材質としては、⼀般的なSiウエハに限らず、ガラス、セラミックス、樹脂フィルムなどへのめっき加⼯も対応可能です。特殊な材質の場合は、弊社処理工程に対しての耐性確認をさせていただく場合がございます。

特殊なご依頼内容の場合には、必要に応じて、各試作に対応した専⽤設備の独⾃作製も⾏います。様々な案件に柔軟に対応しております。

フィルム基板への銅パターンめっき