配線／バンプ形成（電解UBM）／ウエハ

スパッタからシードエッチングまで⼀貫対応可能

弊社では、めっき⼯程はもちろん、その前後工程であるレジストパターニングやエッチング⼯程まで⼀貫して処理を承っております。

スパッタ：Cu,Ti,Al,Niの薄膜作成が可能です。膜厚・層構成の相談は承っております。
フォトリソ：4インチから8インチのウエハに対応しております。
　　　　　　300ｍｍ角までのシートフィルム形状も対応可能な場合がございます。
　　　　　　露光マスク作成から弊社にて対応可能です。露光装置はアライナータイプです。　
めっき：次項をご覧ください。
シードエッチング：スパッタ形成したTiやCuのシード層をエッチングします。サイドエッチングを抑えた選択的なエッチングが可能です。
 

微⼩・微細パターンを作製可能

マイクロバンプや配線、電極など、数⼗μmの微⼩・微細なパターンを電解めっきで形成できます。
バンプサイズ実績：最小ーΦ20μmにてH30μm
　　　　　　　　　最大ーΦ60μmにてH100μm
最⼩ライン：L/S＝10μm/10μm
ライン設備で対応可能なめっき種：銅めっき、ニッケルめっき、金めっき、スズ銀合金めっき
※その他、簡易槽レベルで対応可能なめっき種もありますのでご相談ください。

試作は１枚から、ウエハ以外の形状もご相談下さい

最少１枚からの試作ご依頼も承っております。
ウエハ形状製品は最もスタンダードですので、最も対応の幅が広くなります。四⾓基板や、100μmレベルの薄基板、チップ、⼩⽚でも対応できる場合がございますので、お問い合わせください。

対応可能な材質としては、⼀般的なSiウエハに限らず、ガラス、セラミックス、樹脂フィルムなどへのめっき加⼯も対応可能です。特殊な材質の場合は、弊社処理工程に対しての耐性確認をさせていただく場合がございます。

特殊なご依頼内容の場合には、必要に応じて、各試作に対応した専⽤設備の独⾃作製も⾏います。様々な案件に柔軟に対応しております。