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粉体めっきの評価

粉体めっきの評価内容一覧

粉体めっきの評価内容一覧 / 粉体めっきの評価

めっき量 -重量法-

めっき量 -重量法- / 粉体めっきの評価
【重量法】
めっき後の重量からめっき前の素材重量を差し引くことでめっき量を算出する方法.

(メリット)
・素材の成分に関係なくめっき量が算出可能
・結果が得られるまで時間がかからない

(デメリット)
・置換めっきは測定不可(素材溶解の影響を受けるため)
・合金めっきの合金比率が分からない

めっき量 -ICPOES-

めっき量 -ICPOES- / 粉体めっきの評価
【ICP-OES】
(測定原理)
 試料溶液を霧状にしてArプラズマに導入し、励起された元素が基底状態に戻る際に放出される光を検出する。その波長から元素の定性、強度から定量を行う。
(測定方法)
 粉体サンプルのめっき皮膜を溶解・希釈し、その希釈溶液中の金属濃度をICP-OESにて定量分析することでめっき量を算出する。

(メリット)
・置換めっきでも測定可能(素材溶解の影響を受けない)
・合金めっきの合金比率がわかる

(デメリット)
・素材にめっき皮膜と同じ金属成分が含まれていると測定不可
・測定結果にバラツキが生じやすい
・結果が得られるまでに少し時間がかかる

断面膜厚

断面膜厚 / 粉体めっきの評価
【特徴】
 めっきされた粉体の断面を分析することで実際の膜厚を確認することができます。また、断面を分析することにより、併せて密着性の確認も行うことができます。

【観察方法】
1.CP研磨(クロスセクションポリッシャー)による断面研磨
  ※アルゴンガスによるエッチング研磨
2.FE-SEM(電界放射形走査電子顕微鏡)による断面観察
  ※10万倍まで観察可能

【観察事例】
上記写真は「Ni粉末へのAuめっき断面」観察事例になります。

粉体抵抗

粉体抵抗 / 粉体めっきの評価
(測定原理)
 粉体をセルに詰めて、4探針法で任意の圧力下で比抵抗を測定します。4探針法での比抵抗測定では、上図のように試料に4本の針状電極を接触させ、外側の探針間に電流を流すことで内側の探針間で生じる電位差を測定し抵抗を求めます。測定した抵抗から比抵抗を理論式から算出します。

(評価方法)
 めっき前後の比抵抗から導電性を評価します。めっき前の試料とめっき後の試料で、比抵抗が低くなっていれば、めっきでの導電性が付与されていると判断し、比抵抗が変化しなければめっきでの導電性が付与されていないと判断します。

粒度分布

粒度分布 / 粉体めっきの評価
(測定原理)
 粒子にレーザー光を照射すると、散乱されます。粒径によって散乱光量とパターンが異なるため、それを検出し統計データを粒度分布図と表して評価します。

(測定方法)
 ・乾式
  粉体サンプルを吸い込み、空気中でレーザーを照射して測定します。測定時間が短いこ
 とがメリットですが、サブミクロンの粉体は測定が安定しないこともあります。
 
 ・湿式
  粉体サンプルを溶媒中に流動させ、それにレーザーを照射して測定します。サブミクロ
 ンの粉体など小さな粉体や超音波をかけたい場合などは湿式を用いて測定します。

(評価方法)
 めっき前後の粒度分布から凝集度合いを判断します。めっき前とめっき後の分布が重なっていれば凝集はしていないと判断し、めっき後の分布が粒径の大きい方へシフトしていれば凝集していると判断いたします。

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