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第20回マイクロマシン/MEMS展 出展情報1

第20回マイクロマシン/MEMS展に出展します。
 7/29(水)〜31(金) ブースNo:B-10 東京ビックサイト
以下の技術を紹介します。是非お越しください。

【TSVめっき技術の特徴】
 エッジ部分へのめっき析出を抑制し、ビア部の穴を埋めることができます。
その@
 エッジ部分へのめっき析出を抑制する。
そのA
 ビア底からのめっきボトムアップ析出またはスルーホール中心からの成長を狙う。

【TSVめっき技術の用途】
 イメージセンサやメモリーなどのSiP(System in Package)の貫通電極として利用

※TSVとは、半導体ダイ3次元(3D)積層技術「スルー・シリコン・ビア(TSV:Through-Silicon Via)」

【KIYOKAWA ISVめっき技術の特徴】
 ボトムアップ抽出により、エッジ部のめっき析出の制御が可能

常の電気めっきでは、エッジ部にめっき析出が優先される。一方ビア底には、めっきが析出しにくい。結果として、完全にビアが埋まらない。

清川メッキは、この問題を独自のめっき技術を開発し、問題を解決しました。


リンク
第20回マイクロマシン/MEMS展

リンク
TSVめっき技術

テーマ:心ときめく技術力    【 2009年07月22日 】