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UBM形成・ウエハーバンプ無電解メッキ技術

メッキ技術にUBM形成・ウエハーバンプ無電解メッキ技術を追加しました。
半導体のめっき技術で長年の実績を持つ清川メッキは,三億円を投じて本社工場に新型装置を投入、2007年9月から直径300ミリウエハーの低コストのウエハー・バンプ無電解メッキ加工を開始しました。このめっき技術は、携帯機器を中心に採用が増えているフリップチップ実装の低コスト化を可能にします。
φ12インチまでのアルミ又は銅電極のウェハに無電解めっきにてNi/F−Au、Ni/厚Au、Ni/Pd/Auでのバンプ作製が出来ます。
・多種メッキに対応
・8インチ、2連ラック対応による高生産性とコスト対応力
・12インチ対応
・あらゆる下地メタル対応
<無電解メッキの利点>
・一括処理が可能
・一括処理による短納期、低コスト
・膜厚バラツキの制御
・独立パットもメッキ可能


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ウェハへの無電解バンプめっき技術

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UBM形成・ウエハーバンプ無電解メッキ技術(トピックス)

テーマ:心ときめく技術力    【 2007年10月15日 】