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無電解UBMめっき技術:無電解バンプめっき対応表追加しました

半導体ウェハ上のAl系またはCu電極上に無電解めっきにてUBMを形成するめっき技術です。




当社の特徴

 @φ12インチまで対応している自動ラインを持っています。

 A長年の実績より、純Al、Al−Si、Al−Cu、Al−Si−Cuと様々なアルミ合金パッド上にも優れた析出性と接合性が有ります。

 BSiウェハの裏面をマスクすることにより、ウェハ裏面への析出を防止しています。

 CTAIKOウェハへのめっき対応も可能です。

 Dウェハ厚は平ウェハ:100μm〜、TAIKOウェハ:50μm〜の対応が可能です。


キーワード:自動車、車載、エネルギー、環境、インフラ、システム、医療、メディカル、バイオ、航空機、ロボット、宇宙


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無電解UBMめっき技術

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お問い合わせ

テーマ:心ときめく技術力    【 2015年05月21日 】